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芯片级underfill整体处于前期验证导入阶段-开元体育在线官网

时间:2024-02-23 00:53:02 作者:开元体育在线登录 点击:

本文摘要:芯片级underfill整体处于前期验证导入阶段

芯片级underfill整体处于前期验证导入阶段-开元体育在线官网(图1)

近日,有投资者在投资者互动平台提问:公司产品能否应用到HBM存储芯片生产过程中,公司与sk海力士有无合作?

德邦科技(688035.SH)7月24日在投资者互动平台表示,HBM 是一种基于3D 堆叠工艺的dram内存芯片,由多层dram堆叠,每一层dram之间通过bump焊接到一起,焊接后dram与dram中间会存在空隙,bump非常脆弱,需要用underfill填充保护,起到应力平衡的作用。

芯片级underfill整体处于前期验证导入阶段

芯片级underfill整体处于前期验证导入阶段-开元体育在线官网(图1)

近日,有投资者在投资者互动平台提问:公司产品能否应用到HBM存储芯片生产过程中,公司与sk海力士有无合作?

德邦科技(688035.SH)7月24日在投资者互动平台表示,HBM 是一种基于3D 堆叠工艺的dram内存芯片,由多层dram堆叠,每一层dram之间通过bump焊接到一起,焊接后dram与dram中间会存在空隙,bump非常脆弱,需要用underfill填充保护,起到应力平衡的作用。公司芯片级underfill已有型号通过国内部分客户验证,整体上仍处于前期验证导入阶段。

目前尚未在HBM中应用,未来能否应用,取决于产品性能的匹配、客户供应链的选择等多种因素。公司与SK海力士尚未在该材料有业务合作。


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